關于ZAKER 融媒體解決方案 合作 加入

山西11选5前三直选走势图: 美光開始量產第三代 16Gb DDR4 內存:1Znm 工藝、功耗更低

泡泡網 08-19

近日,美光官方宣布已經開始量產 1Znm 工藝的 16Gb DDR4 內存,是第三代 10nm 級內存工藝,并且也是業界首次批量生產 1Znm 工藝產品,進度比三星還要迅速。

美光表示,與上一代 1Ynm 制程相比,1Znm 制程的 16Gb DDR4 內存芯片擁有更高的密度、更強的性能以及更低的成本。但是目前美光官方并沒有公布這款內存的具體數據,僅明確表示 1Znm 16Gb DDR4 內存相比較于前幾代 8Gb DDR4 內存降低約 40% 的功耗,而性能和成本數據沒有明確回答,不過可以肯定的是,更先進的制程工藝往往代表著更高的性能。

值得一提的是,在美光此前公布的產品路線圖中,1Znm 工藝后還會有 1 α nm、1 β nm、1 γ nm 工藝,所以在 10nm 級別產品中會有六種制造工藝,而現在恰好是研發到了第三代 10nm 級別的內存。此外,美光還表示將批量出貨業界容量最高的 16Gb LPDDR4X 內存,并且基于 UFS 的多芯片封裝:uMCP,可以滿足業界中對低功耗、小封裝的需求。

目前美光尚未公布這款內存的具體上市時間,而美光在 DRAM 市場的主要競爭對手三星也在去年春季宣布稱,將在今年下半年開始生產 1Znm 工藝 8Gb DDR4 ???,而可能正是因為這個原因,導致美光加速生產自己的 1Znm 產品,從而更快占領相關市場份額。

本文編輯:王稀仕

以上內容由"泡泡網"上傳發布 查看原文